國(guó)巨(YAGEO)作為全球領(lǐng)先的電子元件供應(yīng)商，其貼片電感(SMD Inductor)廣泛應(yīng)用于通信、汽車(chē)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。耐高溫性能是評(píng)估電感可靠性的核心指標(biāo)，直接影響電路在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性。本文結(jié)合行業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與國(guó)巨產(chǎn)品特性，今天昂洋科技系統(tǒng)闡述貼片電感耐高溫性能的測(cè)試方法，包括測(cè)試原理、設(shè)備選型、操作流程及數(shù)據(jù)分析，為工程師提供科學(xué)、高效的測(cè)試方案。

一、耐高溫性能測(cè)試的重要性

貼片電感在高溫環(huán)境下可能出現(xiàn)磁芯飽和、線圈絕緣失效、感值漂移等問(wèn)題，導(dǎo)致電路性能下降甚至失效。根據(jù)MIL-STD-202G標(biāo)準(zhǔn)，電感在高溫儲(chǔ)存(155℃±2℃/96小時(shí))后，感值變化需≤10%，品質(zhì)因數(shù)(Q值)變化需≤30%。國(guó)巨電感通過(guò)優(yōu)化磁芯材料與封裝工藝，在耐高溫性能上表現(xiàn)優(yōu)異，但仍需通過(guò)嚴(yán)格測(cè)試驗(yàn)證其可靠性。

二、測(cè)試原理與設(shè)備選型

1. 測(cè)試原理

耐高溫測(cè)試通過(guò)模擬電感在高溫環(huán)境下的長(zhǎng)期工作狀態(tài)，評(píng)估其電氣參數(shù)與物理結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。測(cè)試需關(guān)注以下參數(shù)：

感值（L）：反映電感對(duì)電流變化的響應(yīng)能力。

品質(zhì)因數(shù)（Q）：衡量電感能量損耗與儲(chǔ)能效率。

直流電阻（DCR）：表征線圈的導(dǎo)電性能。

外觀缺陷：如開(kāi)裂、變形、漏液等。

2. 設(shè)備選型

高低溫試驗(yàn)箱：需具備溫度控制精度±1℃、升溫速率≥5℃/min、溫度均勻性≤±2℃。

LCR電橋：如Agilent 4284A，支持1kHz~1MHz頻率測(cè)試，感值精度±0.05%。

顯微鏡/光學(xué)測(cè)量?jī)x：用于觀察電感外觀缺陷。

數(shù)據(jù)記錄儀：實(shí)時(shí)記錄溫度、時(shí)間與測(cè)試數(shù)據(jù)。

三、測(cè)試流程與操作規(guī)范

1. 樣品準(zhǔn)備

抽樣標(biāo)準(zhǔn)：按GB/T 2828.1-2012標(biāo)準(zhǔn)，從同一批次中隨機(jī)抽取樣品，數(shù)量≥10只。

預(yù)處理：在常溫下測(cè)量初始感值、Q值與DCR，作為基準(zhǔn)數(shù)據(jù)。

封裝檢查：確保樣品無(wú)機(jī)械損傷，封裝材料無(wú)氣泡、裂紋。

2. 高溫儲(chǔ)存測(cè)試

步驟：

將樣品置于高低溫試驗(yàn)箱，以5℃/min速率升溫至155℃±2℃。

恒溫保持96小時(shí)，期間每24小時(shí)記錄一次溫度與時(shí)間。

自然冷卻至室溫后，測(cè)量感值、Q值與DCR。

判定標(biāo)準(zhǔn)：

感值變化≤±10%。

Q值變化≤±30%。

DCR變化≤±10%。

外觀無(wú)可見(jiàn)缺陷。

3. 高溫工作測(cè)試（可選）

步驟：

將樣品接入測(cè)試電路，施加額定電流(如100mA)。

在155℃±2℃環(huán)境下連續(xù)工作24小時(shí)。

測(cè)量感值、DCR及溫升(使用熱成像儀)。

判定標(biāo)準(zhǔn)：

感值漂移≤±5%。

DCR變化≤±5%。

溫升≤40℃(感量下降20%對(duì)應(yīng)的臨界溫升)。

國(guó)巨貼片電感的耐高溫性能測(cè)試需結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范與產(chǎn)品特性，通過(guò)科學(xué)的方法與先進(jìn)的設(shè)備，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性。未來(lái)，隨著材料科學(xué)與測(cè)試技術(shù)的進(jìn)步，電感的耐溫性能將進(jìn)一步提升，為極端環(huán)境下的電子設(shè)備提供更可靠的保障。